联电夺高通先进封装大单 打破台积电独霸局面

来源：爱集微  时间：2024-12-17

先进封装领域爆红，联电积极抢进并传出捷报，夺下高通高性能计算（HPC）先进封装大单，将应用在AI PC、车用，以及现在正热的AI服务器市场，甚至包括高带宽存储器（HBM）整合。联电迎来业绩新动能之余，更打破先进封装市场由台积电独家掌握的态势。

联电不对单一客户回应，强调先进封装是公司积极发展的重点，并且会携手智原、矽统等子公司，加上存储供应伙伴华邦，携手打造先进封装生态系。

联电布局先进封装，目前在制程端仅供应中介层（Interposer），应用在RFSOI制程，对营收贡献相当有限。全球所有先进封装制程生意仍被台积电掌握，随着高通有意采用联电先进封装制程打造HPC芯片，等于为联电打开新生意，并打破先进封装市场由台积电独家掌握的态势。

知情人士透露，联电夺下高通先进封装大单，相关细节是高通正规划以半客制化的Oryon架构核心委托台积电先进制程量产，再将晶圆委托联电进行先进封装，预计将会采用联电的WoW Hybrid bonding（混合键合）制程，这意味联电全面跨足先进封装市场。

业界分析，高通为了拓展AI PC、车用及服务器等市场，将采用联电的先进封装晶圆堆叠技术，并将结合PoP封装，取代过去传统由锡球焊接的封装模式，让芯片与芯片之间的信号传输距离更近，达到无须再透过提升晶圆制程，就可提高芯片计算效能的目的。

法人指出，先进封装最关键的制程就是需要曝光机台制造的中介层，加上需要超高精密程度的矽穿孔，让2.5D或3D先进封装堆叠的芯片信号可相互联系，联电则具备生产中介层的机台设备之外，且早在十年前就已将TSV制程应用超微GPU芯片订单上，等于联电完全具备先进封装制程量产技术的先决条件，成为获得高通青睐的主要原因。

业界认为，高通以联电先进封装制程打造的新款高性能计算芯片，有望在2025下半年开始试产，并在2026年进入放量出货阶段。