材料筑基、设备协同：安德科铭以系统创新破局半导体国产替代
来源：爱集微 时间：2026-4-2
半导体产业是全球科技竞争的核心赛道，而前驱体材料作为芯片制造薄膜沉积工艺的核心原料，其技术突破与国产替代进程，直接关乎我国半导体产业链的自主可控与高端化发展。
在SEMICON China 2026展会上，国家级专精特新“小巨人”企业安徽安德科铭半导体科技股份有限公司（简称“安德科铭”）携重磅展品亮相，其自主研发的Si系列、Hf系列、La系列前驱体材料及配套LDS设备，全面展现了国内企业在全球制程向尖端节点演进、行业格局深度重构的背景下，持续深耕高端半导体材料及工艺装备领域的系统化布局与技术实力。
概括来看，从海归团队归国创业补齐产业短板，到在La、Hf、Si系列前驱体材料上打破国际垄断，再到打造“材料+设备”系统化解决方案、启动科创板IPO辅导，安德科铭以技术创新为核心、以产业链协同为抓手，在国产替代浪潮中实现了不断突破和业绩增长。
展会期间，安德科铭董事长兼CEO汪穹宇接受集微网专访，围绕全球半导体前驱体行业趋势、企业战略布局、技术创新突破、人才培养及未来规划等核心话题，分享了安德科铭从海归创业到跻身国产前驱体核心阵营的破局之路，以及面向全球“小巨人”的发展愿景。
洞察趋势：锚定赛道深耕核心竞争力
当前，全球半导体产业正处于技术迭代与格局重构的关键期，前驱体作为半导体薄膜沉积工艺的核心原料，直接决定芯片制程精度与性能，其行业发展特征及国产替代进程备受关注。
汪穹宇表示，全球前驱体材料行业呈现三大核心特征：一是技术壁垒持续提升，随着半导体制程向尖端节点演进，对原子层沉积（ALD）、化学气相沉积（CVD）前驱体的纯度、性能及适配性要求愈发严苛；二是市场呈现高端垄断、中端突围格局，海外巨头主导高端市场，国内企业正加速在中高端领域突破；三是产业链协同需求凸显，前驱体企业需与晶圆厂、设备厂商深度绑定，形成“研发-验证-量产”闭环。
谈及前驱体及薄膜工艺在先进制程中的应用，汪穹宇指出，7nm及以下先进逻辑芯片、高端存储芯片生产中，ALD、CVD工艺已成为核心环节，前驱体材料性能直接影响薄膜沉积均匀性、台阶覆盖率及器件可靠性，广泛应用于栅介质层、金属电极、high-K电容等关键器件结构制备。同时，先进制程对前驱体要求极高，纯度需达>6N级（99.9999%），关键杂质控制在50ppb以下，且对饱和蒸汽压、热稳定性等指标及设备工艺适配性要求更为严苛。
“一代技术、一代工艺、一代材料，芯片微观尺度缩小和三维结构普及，推动前驱体材料体系不断迭代，传统材料已无法满足先进制程需求，需持续创新升级。”汪穹宇称，行业机遇在于国内晶圆厂扩产叠加国家半导体自主可控战略牵引，国产前驱体迎来前所未有的替代窗口期。而挑战则集中在技术研发不确定性、客户验证周期长及海外技术封锁带来的供应链风险。
关于国产替代进程，汪穹宇认为行业已彻底告别“情怀阶段”，进入“性能为王、竞争充分”的新阶段。“10年前国内厂商多单纯复刻海外竞品，技术含量有限。如今中美半导体竞争加剧，国内晶圆厂自主创新意愿强烈，不再单纯依赖海外产品，为国产企业提供了宝贵机遇。”他表示，当前国产替代整体处于“部分突破、逐步放量”阶段，海外巨头仍占主要市场份额，但国内企业已在La系列、Hf系列等细分领域实现批量供应，打破国外垄断。
汪穹宇判断，未来3-5年国内前驱体市场将呈现“头部集中、细分领跑”态势，具备核心技术、产能规模和客户资源的企业将扩大份额，而缺乏创新的中小企业将被淘汰。对此，安德科铭已采取多重战略措施持续提升综合竞争力，包括已启动科创板IPO辅导，为企业发展注入动力。
他透露，资本市场赋能主要体现在三个方面：为产能扩张和技术研发提供资金，提升品牌影响力，助力海外拓展，以及完善治理结构，吸引高端人才。募资将重点用于合肥产业化基地建设、前沿技术研发等，契合企业“深耕前驱体、拓展系统化解决方案、迈向全球化”的长期战略。
在前沿技术方面，安德科铭持续深耕半导体薄膜前驱体材料核心技术研发，已重点布局High-K材料、先进金属薄膜及选择性沉积等方向，构建技术壁垒和护城河。其中，High-K材料聚焦Hf基、La基系列，通过分子结构创新提升介电性能，适配先进逻辑与存储芯片需求；先进金属薄膜前驱体则针对导电性能提升，研发新型金属基材料，助力芯片性能升级。
自主研发：构建设备材料系统化优势
在上海举办的SEMICON China 2026展会期间，安德科铭重点展示了自主研发的Si系列、Hf系列、La系列前驱体材料及配套LDS设备，凭借核心技术突破与产品优势成为展会焦点，不仅获得国内龙头Fab厂、集成电路设备厂的高度认可与批量采购，更成功打破国际长期垄断，彰显国产半导体材料与设备的创新实力。
在前驱体材料领域，安德科铭三大系列产品各有侧重、均实现关键技术突破，覆盖成熟制程与先进制程核心需求。其中，La系列稀土金属基前驱体依托中国稀土供应链优势，成为国内唯一实现技术突破的产品。汪穹宇介绍，该系列核心创新在于分子结构设计，以La为核心优化官能团结构，关键性能对标甚至超越国际先进水平。其代表产品三(N,N'-二异丙基甲脒基)镧，采用创新替代锂盐工艺及结晶升华双联纯化技术，金属纯度达99.9999%以上，关键镧系金属杂质≤50ppb，热稳定性达300℃，已通过国内一些最主要的芯片制造厂商验证，在配套国内芯片制造技术迭代的进程中，发挥着日益关键的作用。
同时，Hf系列产品聚焦High-K材料领域，精准匹配DRAM存储芯片等场景需求，通过创新的高通量单一体系合成技术与“规整填料-双循环精馏”纯化技术，攻克共生金属分离难题。汪穹宇以三（二甲胺基）环戊二烯基铪（CpHf）为例，该产品性能已经赶超国际主流厂商，具备高蒸气压与优异热稳定性，是DRAM芯片高性能实现的关键，目前已成为主要客户的唯一国产供应商。在产品研发中，团队将合成流程简化40%，自主开发后段纯化设备，实现生产稳定性与成本控制双重提升。
此外，Si系列作为成熟与先进制程通用的刚需材料，安德科铭通过工艺优化提升产品纯度与适配性，涵盖双(二乙氨基)硅烷（BDEAS）、双(叔丁氨基)硅烷（BTBAS）等多款产品，可满足不同客户薄膜沉积需求。该系列核心优势在于高性价比与快速服务响应，在保障性能达到国际水平的同时，通过本土供应链整合与工艺优化降低成本，并提供定制化技术支持。
本次SEMICON China 2026展会，安德科铭同步推出配套LDS设备，展现“材料+设备”的系统化布局，这一布局旨在精准适配客户需求、提升产品使用体验。汪穹宇解释，前驱体输送直接影响芯片制造良率，传统方式存在更换繁琐、易脏污、气流不稳等痛点，而LDS前驱体输送系统可与公司前驱体精准适配，有效解决上述问题。
谈及LDS设备的核心技术亮点，汪穹宇介绍，该设备采用模块化设计，可匹配19L、38L、200L等多种规格源瓶，一台设备可供应四个主机台，且具备全自动吹扫和测漏程序，源瓶更换无需停机，大幅提升生产效率。同时，设备通过多重安全冗余设计，获得SEMI S2/6认证，故障率极低，客户统计显示其uptime达99.9%。其核心优势在于材料与设备的深度协同，依托对自身前驱体性能的精准把控，优化设备输送程序与结构设计。
汪穹宇表示，“材料+设备”的协同效应，既提升了客户生产效率与产品良率，也巩固了公司市场竞争力。目前，LDS设备已与前驱体材料均已经在客户端稳步推进，助力国产化替代进程。未来，安德科铭还将针对固体前驱体输送需求，研发固体输送系统，进一步完善系统化解决方案，持续助力国内半导体产业自主可控。
海归创业：赋能培育本土核心生力军
自2018年成立以来，安德科铭始终聚焦先进电子级薄膜前驱体细分赛道。汪穹宇表示，选择这一赛道的核心，是看到国内半导体产业链的短板——作为芯片制造“神经末梢”的前驱体，当时国产化率曾不足2%，严重制约产业链自主可控。“我们创始团队都是中科大同学，兼具海外技术经验与家国情怀，希望通过专注细分赛道，补齐短板，实现个人与产业价值的统一。”
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