日前，承载着国内硅光子芯片高端研发及产业化的“国家集成电路创新中心-赛丽科技硅光联合实验室”在上海张江正式揭牌。SEMI全球副总裁、中国区总裁居龙应邀出席揭牌仪式。
左起：居龙（SEMI全球副总裁、中国区总裁），张卫（复旦微电子学院院长，国家集成电路创新中心总经理），张轲（SILITH赛丽科技 总经理），沈晓良（国家集成电路创新中心副总经理）
据悉，“国家集成电路创新中心-赛丽科技硅光联合实验室”，将借鉴集成电路发展经验，首先解决硅光子芯片的设计和加工中的非标问题，与集成电路领域领先的代工厂合作，建立和完善底层生态系统，迅速推进硅光子芯片产业的规模化和标准化。
在硅光子芯片的生态系统完善的过程和基础上，联合实验室还将推进硅/III-V族异质集成激光器和放大器，全硅光电探测器，基于薄膜铌酸锂的高性能微环谐振器，基于3D光刻技术的波导耦合结构，光量子器件，可完全连接神经网络的可调谐硅干涉仪等一系列前沿硅光子技术，进而实现硅光技术在光电共封装的高速率光互联接口、高性能神经网络光计算、虚拟和增强现实、生物传感和医疗、汽车自动驾驶等领域的应用和产品落地。
据了解，自1969年贝尔实验室首次提出硅光技术的概念以来，硅光技术已经发展了50余年。然而相较于日新月异的集成电路，硅光技术的发展相对缓慢，整个产业的生态系统很不健全。硅光子芯片的设计、加工、封装、测试等一系列工序的标准化程度过低，产业内的参与者大多处于相对封闭状态。
而立足于成熟先进CMOS工艺的联合实验室，将力求通过开发突破摩尔定律的先进硅光子芯片，以引领、创建和完善硅光子端到端的生态系统为使命，开辟硅光子技术在诸多应用领域的商业化。
国家集成电路创新中心于2018年7月在上海正式揭牌成立。中心由复旦大学、中芯国际和华虹集团三家单位共同发起，构建开放平台，汇聚高端人才，开展源头创新，全力打造国家集成电路共性技术研发平台，计划在2025年前后，建设成为具有全球影响力的集成电路共性技术创新机构。
赛丽科技是2021年成立的无晶圆芯片设计公司，以半导体材料为基础，利用硅基CMOS、MEMS平台和Chiplet、TSV等先进封装技术实现光电芯片高度集成，产品应用于汽车电子、高速数据通信、生物传感器等领域。